WSD100N15DN56G N-канален 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Број на дел:WSD100N15DN56G

BVDSS:150 V

ID:100 А

РДСОН:6mΩ

Канал:N-канал

Пакет:DFN5X6-8

Испратете ни е-пошта PDF

Детали за производот

Напонот на WSD100N15DN56G MOSFET е 150V, струјата е 100A, отпорот е 6mΩ, каналот е N-канал, а пакетот е DFN5X6-8.

Медицински напојувања MOSFET, PDs MOSFET, дронови MOSFET, електронски цигари MOSFET, големи апарати MOSFET и електрични алати MOSFET.

Симбол	Параметар	Рејтинг	Единици
VDS	Напон на одводниот извор	150	V
VGS	Напон на портата-извор	±20	V
ID	Континуирана одводна струја, В_GS@ 10 V (Т_C=25℃)	100	A
IDM	Пулсирана струја на одвод	360	A
EAS	Енергија на лавина со еден пулс	400	mJ
P_D	Целосна дисипација на енергија..._C=25℃)	160	W
RthJA	Термичка отпорност, спој-амбиент	62	℃/Ш
RθJC	Термичка отпорност, спојно куќиште	0,78	℃/Ш
TSTG	Температурен опсег на складирање	-55 до 175	℃
T_J	Опсег на температура на оперативниот спој	-55 до 175	℃

Симбол	Параметар	Услови	мин.	Тип.	Макс.	Единица
BV_ДСС	Пробиен напон на одводниот извор	V_GS=0V, I_D=250uA	150	---	---	V
RDS (вклучено)	Статичка отпорност на извор на одвод²	V_GS= 10 V, I_D= 20 А	---	9	12	mΩ
VGS(ти)	Напон на прагот на портата	V_GS=V_DS, јас_D=250uA	2.0	3.0	4.0	V
IDSS	Струја на истекување на одводниот извор	V_DS=100V, В_GS=0V, Т_J=25℃	---	---	1	uA
IGSS	Струја на истекување на портата-извор	V_GS=±20V, V_DS=0V	---	---	± 100	nA
Q_g	Вкупно портата наплата	V_DS= 50 V, V_GS= 10 V, I_D= 20 А	---	66	---	nC
Q_gs	Порта-извор полнење		---	26	---
Q_gd	Полнење за порта-одвод		---	18	---
Td (вклучено)	Време на одложување на вклучување	V_DD= 50 V,V_GS= 10 V R_G=2Ω, I_D= 20 А	---	37	---	ns
T_r	Време на подем		---	98	---
Td (исклучено)	Време на одложување на исклучување		---	55	---
T_f	Есенско време		---	20	---
C_iss	Влезен капацитет	V_DS= 30 V, V_GS=0V, f=1MHz	---	5450	---	pF
Coss	Излезен капацитет		---	1730 година	---
C_rss	Капацитет за обратен пренос		---	195	---