WSM340N10G N-канален 100V 340A ПАТАРИН-8L WINSOK MOSFET

WSM340N10G N-канален 100V 340A TOLL-8L WINSOK MOSFET Избрана слика

краток опис:

Број на модел:WSM340N10G

BVDSS:100 V

РДСОН:1,6 mΩ

ID:340А

Канал:N-канал

Пакет:Патарина-8L

Резиме на производи:Напонот на WSM340N10G MOSFET е 100V, струјата е 340A, отпорот е 1,6mΩ, каналот е N-канал, а пакетот е TOLL-8L.

Апликации:Медицинска опрема, дронови, PD напојувања, LED напојувања, индустриска опрема итн.

Испратете ни е-пошта PDF

Детали за производот

Апликација

Ознаки на производи

Општ опис

WSM340N10G е N-Ch MOSFET-от со највисоки перформанси со екстремно висока густина на ќелии, кој обезбедува одлично RDSON и полнење на портата за повеќето апликации за синхрони преобразувачи на бак. WSM340N10G ги исполнува барањата RoHS и Green Product, 100% EAS гарантирано со целосна доверливост на функциите одобрена.

Карактеристики

Напредна технологија за ровови со висока густина на ќелии, полнење со супер ниска порта, одличен пад на ефектот на CdV/dt, 100% загарантирана EAS, Достапен зелен уред.

Апликации

Синхроно исправување, DC/DC конвертор, прекинувач за оптоварување, Медицинска опрема, дронови, PD напојувања, LED напојувања, индустриска опрема итн.

Важни параметри

Апсолутни максимални оценки

Симбол	Параметар	Рејтинг	Единици
VDS	Напон на одводниот извор	100	V
VGS	Напон на портата-извор	±20	V
ID@TC=25℃	Континуирана одводна струја, VGS @ 10V	340	A
ID@TC=100℃	Континуирана одводна струја, VGS @ 10V	230	A
IDM	Импулсна одводна струја..TC=25°C	1150	A
EAS	Лавинска енергија, единечен пулс, L=0,5mH	1800 година	mJ
МСС	Лавинска струја, единечен пулс, L=0,5mH	120	A
PD@TC=25℃	Вкупна дисипација на енергија	375	W
PD@TC=100℃	Вкупна дисипација на енергија	187	W
TSTG	Температурен опсег на складирање	-55 до 175	℃
TJ	Опсег на температура на оперативниот спој	175	℃

Електрични карактеристики (TJ=25℃, освен ако не е поинаку наведено)

Симбол	Параметар	Услови	мин.	Тип.	Макс.	Единица
BVDSS	Пробиен напон на одводниот извор	VGS=0V, ID=250uA	100	---	---	V
△BVDSS/△TJ	BVDSS температурен коефициент	Референца на 25℃, ID=1mA	---	0,096	---	V/℃
RDS (вклучено)	Статичка отпорност на извор на одвод	VGS=10V,ID=50A	---	1.6	2.3	mΩ
VGS(ти)	Напон на прагот на портата	VGS=VDS, ID =250uA	2.0	3.0	4.0	V
△VGS(ти)	VGS(ти) температурен коефициент	VGS=VDS, ID =250uA	---	-5,5	---	mV/℃
IDSS	Струја на истекување на одводниот извор	VDS=85V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Струја на истекување на одводниот извор	VDS=85V, VGS=0V, TJ=55℃	---	---	10	uA
IGSS	Струја на истекување на портата-извор	VGS=±25V, VDS=0V	---	---	± 100	nA
Rg	Отпорност на портата	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.0	---	Ω
Qg	Вкупно полнење на портата (10V)	VDS=50V, VGS=10V, ID=50A	---	260	---	nC
Qgs	Порта-извор полнење		---	80	---
Qgd	Полнење за порта-одвод		---	60	---
Td (вклучено)	Време на одложување на вклучување	VDD=50V, VGS=10V,RG=1Ω,RL=1Ω,IDS=1A.	---	88	---	ns
Tr	Време на подем		---	50	---
Td (исклучено)	Време на одложување на исклучување		---	228	---
Tf	Есенско време		---	322	---
Ciss	Влезен капацитет	VDS=40V, VGS=0V, f=1MHz	---	13900	---	pF
Coss	Излезен капацитет		---	6160	---
Crss	Капацитет за обратен пренос		---	220	---