Тек на MOSFET тестирање

Време на објавување: мај-25-2024 година

Проток за детекција на MOSFET MOSFET-овите, како еден од најосновните уреди во полето на полупроводниците, се широко користени во различни дизајни на производи и кола на ниво на плоча. Особено во областа на полупроводниците со голема моќност, MOSFET-овите од различни структури играат незаменлива улога. Се разбира, високата стапка на искористеност наМОСФЕТИ доведе до некои помали проблеми. Еден од проблемите со истекување на MOSFET, различни места имаат различни решенија, па затоа организиравме неколку ефективни методи за решавање проблеми за ваша референца.

Проверете го ова прашање:МОСФЕТ lekkage, kortsluitfouten, ontkoppeling, versterking. Als er een weerstandswaarde, maar niet gedetecteerd, MOSFET lekkage voorwaarden, die het belangrijkste onderzoek kunnen we verwijzen naar het volgende process uit te voeren:

1, de link gate en de bron van de weerstand verwijderd, de multimeter rode en zwarte pennen zal neet veranderen, als je beweegt de lekkage weerstand na de meter bar geleidelijk terug naar een hoge weerstand of oneindig, dan is deМОСФЕТ lekkage; zal niet veranderen is er geen probleem;

2, zal een transmissielijn naar de MOSFET gate en bron polen met elkaar verbonden, als de digitale multimeter naald onmiddellijk terug naar oneindig, dan is de MOSFET е geen проблем;

3, de rode pen naar de bron van de MOSFET S, de zwarte pen naar de afvoer van de MOSFET, een goede meter stick markering moet geen grote armen;

4, комбе 100KΩ-200KΩ verbonden met de gate en drain, en vervolgens de rode pen aan de bron van de MOSFET S, de zwarte pen aan de drain van de MOSFET, op dit moment de waarde van de meterpaal обележувањето е завршено het algemeen zal 0 zijn, оп хет моментот е onder de positieve elektriciteit op основата van deze weerstand aan de MOSFET gate batterij opladen, wat resulteert in de gate elektrisch veld, als gevolg van elektrisch veld Резултатот во geleidingsvermogen sectie veroorzaakt door de drain en bron pool pass digitaleas, z, z. гротер де gezichtshoek, hoe hoger het laden en ontladen kenmerken.