Вовед во принципот на работа на најчесто користените MOSFET со голема моќност

Денес на најчесто користената висока моќностМОСФЕТнакратко да го запознаеме неговиот принцип на работа. Погледнете како ја реализира сопствената работа.

Metal-Oxide-Semiconductor, односно Metal-Oxide-Semiconductor, токму ова име ја опишува структурата на MOSFET-от во интегрираното коло, односно: во одредена структура на полупроводничкиот уред, споен со силициум диоксид и метал, формирањето на портата.

Изворот и одводот на MOSFET се спротивставени, и двете се зони од N-тип формирани во задна врата од P-тип. Во повеќето случаи, двете области се исти, дури и ако двата краја на прилагодувањето нема да влијаат на перформансите на уредот, таков уред се смета за симетричен.

Класификација: според типот на материјалот на каналот и типот на изолираната порта на секој N-канал и P-канал два; според режимот на спроводливост: MOSFET е поделен на исцрпување и подобрување, така што MOSFET е поделен на исцрпување и подобрување на каналот N; Исцрпување на P-каналот и подобрување на четири главни категории.

MOSFET принцип на работа - структурните карактеристики наМОСФЕТтоа спроведува само еден поларитет носачи (полис) вклучени во проводникот, е униполарен транзистор. Спроведен механизам е ист како MOSFET со ниска моќност, но структурата има голема разлика, MOSFET со ниска моќност е хоризонтален спроводлив уред, најголемиот дел од моќноста MOSFET вертикална спроводна структура, исто така познат како VMOSFET, што значително го подобрува MOSFET способност да издржат напон и струја на уредот. Главната карактеристика е тоа што постои слој на силика изолација помеѓу металната порта и каналот, и затоа има висока влезна отпорност, цевката спроведува во две високи концентрации на n дифузна зона за да формира проводен канал од n-тип. МОСФЕТ-овите за подобрување на n-каналот мора да се применат на портата со напредна пристрасност и само кога напонот на изворот на портата е поголем од прагот на напонот на проводниот канал генериран од n-каналниот MOSFET. MOSFET-ови од типот на исцрпување n-канален се MOSFET-ови со n-канални во кои спроводливите канали се генерираат кога не се применува напон на портата (напонот на изворот на портата е нула).

Принципот на работа на MOSFET е да ја контролира количината на „индуцирано полнење“ со користење на VGS за да ја промени состојбата на проводниот канал формиран од „индуцираното полнење“, а потоа да ја постигне целта за контролирање на струјата на одводот. Во производството на цевки, преку процесот на изолација слој во појавата на голем број на позитивни јони, така што во другата страна на интерфејсот може да се предизвика повеќе негативен полнеж, овие негативни полнежи до висока пенетрација на нечистотии во Н регион поврзан со формирање на проводен канал, дури и во VGS = 0 има и голем ID на струја на истекување. кога се менува напонот на портата, се менува и количината на полнеж индуцирана во каналот, а се менуваат и ширината на проводниот канал и стеснетоста на каналот, а со тоа и ID на струјата на истекување со напонот на портата. тековната ID варира со напонот на портата.

Сега примената наМОСФЕТво голема мера го подобри учењето на луѓето, работната ефикасност, истовремено подобрувајќи го нашиот квалитет на живот. Имаме порационализирано разбирање за тоа преку некое едноставно разбирање. Не само што ќе се користи како алатка, повеќе разбирање на неговите карактеристики, принципот на работа, што исто така ќе ни даде многу забава.