Избор на МОСФЕТ | Конструктивни принципи на MOSFET на N-канал

Избор на МОСФЕТ | Конструктивни принципи на MOSFET на N-канал

Време на објавување: мај-26-2024 година

Метал-оксид-полупроводничка структура на кристалниот транзистор попознат какоМОСФЕТ, каде што MOSFET се поделени на P-тип MOSFET и N-тип MOSFET. Интегрираните кола составени од MOSFET се нарекуваат и MOSFET интегрирани кола, а тесно поврзаните MOSFET интегрирани кола составени од PMOSFET иNMOSFET се нарекуваат CMOSFET интегрирани кола.

Дијаграм на колото на MOSFET на N-канален 1

MOSFET кој се состои од супстрат од p-тип и две n-распространети области со високи вредности на концентрација се нарекува n-канал.МОСФЕТ, а проводниот канал предизвикан од спроводен канал од n-тип е предизвикан од n-патеките на ширење во двете патеки за ширење n со високи вредности на концентрација кога цевката спроведува. МОСФЕТ-овите задебелени со n-канали имаат n-канал предизвикан од проводен канал кога позитивната насочена пристрасност е подигната колку што е можно повеќе кај портата и само кога работата на изворот на портата бара работен напон кој го надминува прагот на напонот. МОСФЕТ-ови со исцрпување на n-канал се оние што не се подготвени за напонот на портата (за работа на изворот на портата потребен е работен напон од нула). n-канален MOSFET со осиромашување на светлината е n-канален MOSFET во кој проводниот канал е предизвикан кога напонот на портата (потребниот работен напон на оперативниот извор на портата е нула) не е подготвен.

      Интегрираните кола NMOSFET се коло за напојување со N-канален MOSFET, интегрирани кола NMOSFET, влезниот отпор е многу висок, огромното мнозинство не мора да ја вари апсорпцијата на протокот на енергија, а со тоа и CMOSFET и NMOSFET интегрираните кола поврзани без да мора да се внесуваат во го земе предвид оптоварувањето на протокот на моќност. интегрираните кола NMOSFET, огромното мнозинство од изборот на Едногрупно позитивно коло за напојување за напојување Коло за напојување Поголемиот дел од интегрираните кола NMOSFET користат едно коло за напојување со едно позитивно преклопно коло за напојување и до 9V ​​за повеќе. Интегрираните кола CMOSFET треба само да го користат истото коло за напојување со прекинувачко напојување како и интегрираните кола NMOSFET, може веднаш да се поврзат со интегрираните кола NMOSFET. Меѓутоа, од NMOSFET на CMOSFET веднаш се поврзува, бидејќи отпорот на излезниот NMOSFET на повлекување е помал од отпорот на повлекување со интегрално коло CMOSFET, затоа обидете се да примените потенцијална разлика отпорник за повлекување R, вредноста на отпорникот R е генерално од 2 до 100 KΩ.

WINSOK TO-263-2L MOSFET

Изработка на MOSFET-ови задебелени со N канал
На силиконска подлога од P-тип со ниска вредност на допинг концентрација, се направени два N региони со висока вредност на допинг концентрација и две електроди се извлекуваат од алуминиумски метал за да служат како одвод d и извор s, соодветно.

Потоа во површината на полупроводничката компонента маскирање на многу тенок слој силика изолациона цевка, во одводот - извор изолациона цевка помеѓу одводот и изворот на друга алуминиумска електрода, како портата g.

Во подлогата, исто така, изведе електрода Б, која се состои од дебел N-канален MOSFET. Изворот и подлогата на MOSFET генерално се поврзани заедно, огромното мнозинство на цевката во фабриката одамна е поврзано со него, неговата порта и другите електроди се изолирани помеѓу куќиштето.