Анализа на важни причини за создавање топлина на MOSFET

N тип, P тип MOSFET принципот на работа на суштината е ист, MOSFET главно се додава на влезната страна на напонот на портата за успешно да се контролира излезната страна на одводната струја, MOSFET е уред контролиран со напон, преку додадениот напон до портата за да ги контролира карактеристиките на уредот, за разлика од триодот за да направи време на префрлување поради основната струја предизвикана од ефектот на складирање на полнење, во апликациите за префрлување, апликациите за префрлување на MOSFET,MOSFET's брзината на префрлување е поголема од онаа на триодот.

 

Во преклопното напојување, најчесто користеното коло за отворено одвод на MOSFET, одводот е поврзан со оптоварувањето како што е, наречено отворен одвод, отворено одводно коло, оптоварувањето е поврзано со тоа колку е висок напонот, може да се вклучи, исклучува оптоварување струја, е идеален аналоген прекинувачки уред, што е принцип на MOSFET да прави преклопни уреди, MOSFET да прави префрлување во форма на повеќе кола.

 

Во однос на апликациите за префрлување напојување, оваа апликација бара МОСФЕТИ периодично да се спроведува, исклучува, како на пример DC-DC напојувањето кое вообичаено се користи во основниот конвертор за бак се потпира на два MOSFET за извршување на функцијата за префрлување, овие прекинувачи наизменично во индукторот за складирање енергија, ослободување на енергијата на товарот, често избираат стотици kHz или дури и повеќе од 1 MHz, главно затоа што колку е поголема фреквенцијата тогаш, толку се помали магнетните компоненти. При нормална работа, MOSFET е еквивалентен на проводник, на пример, MOSFET со висока моќност, MOSFET со мал напон, кола, напојувањето е минималната загуба на спроводливост на MOS.

 

MOSFET PDF параметри, производителите на MOSFET успешно го усвоија параметарот RDS (ON) за да ја дефинираат импедансата во состојба, за префрлување апликации, RDS (ON) е најважната карактеристика на уредот; листовите со податоци го дефинираат RDS (ON), напонот на портата (или погонот) VGS и струјата што тече низ прекинувачот е поврзана, за адекватен погон на портата, RDS (ON) е релативно статичен параметар; МОСФЕТ-овите кои биле во спроводливост се склони кон создавање топлина, а бавното зголемување на температурите на спојницата може да доведе до зголемување на RDS (ON);МОСФЕТ листовите со податоци го специфицираат параметарот на топлинска импеданса, кој е дефиниран како способност на полупроводничката спојка на пакетот MOSFET да ја исфрла топлината, а RθJC е едноставно дефинирана како топлинска импеданса од спој до куќиште.

 

1, фреквенцијата е премногу висока, понекогаш прекумерното следење на јачината на звукот, директно ќе доведе до висока фреквенција, MOSFET на загубата се зголемува, толку е поголема топлината, не прави добра работа на соодветен дизајн за дисипација на топлина, висока струја, номинална сегашната вредност на MOSFET, потребата за добра дисипација на топлина за да може да се постигне; ID е помала од максималната струја, може да биде сериозна топлина, потребата за соодветни помошни ладилници.

 

2, грешки при изборот на MOSFET и грешки во моќта расудување, MOSFET внатрешниот отпор не е целосно земен во предвид, директно ќе доведе до зголемена импеданса на префрлување, кога се справувате со проблеми со греењето на MOSFET.

 

3, поради проблеми со дизајнот на колото, што резултира со топлина, така што MOSFET работи во линеарна работна состојба, а не во состојба на префрлување, што е директна причина за загревањето на MOSFET, на пример, N-MOS прави префрлување, G- нивото на напонот треба да биде повисоко од напојувањето за неколку V, за да може целосно да се спроведе, P-MOS е различен; во отсуство на целосно отворен, падот на напонот е премногу голем, што ќе резултира со потрошувачка на енергија, еквивалентната DC импеданса е поголема, падот на напонот исто така ќе се зголеми, U * I исто така ќе се зголеми, загубата ќе доведе до топлина.