D-FET е во 0 портата пристрасност кога постоењето на канал, може да спроведе FET; E-FET е во пристрасност 0 портата кога нема канал, не може да го спроведе FET. овие два типа на FET имаат свои карактеристики и употреба. Општо земено, подобрениот FET во кола со голема брзина и ниска моќност е многу вреден; и овој уред работи, тоа е поларитетот на пристрасноста на портата voltage и одвод напон на истиот, поудобно е во дизајнот на колото.
Таканаречените подобрени средства: кога цевката VGS = 0 е исклучена состојба, плус правилниот VGS, поголемиот дел од носачите се привлекуваат кон портата, со што се „зајакнуваат“ носачите во регионот, формирајќи проводен канал. Зајакнатиот MOSFET на n-канален во основа е симетрична топологија од лево-десно, што е полупроводник од типот P за генерирање на слој од изолација на филмот SiO2. Тој генерира изолационен слој од SiO2 филм на полупроводникот од P-тип, а потоа дифузира два високо допирани региони од N-тип софотолитографија, и води електроди од регионот N-тип, една за одводот D и една за изворот S. Слој од алуминиумски метал е обложен на изолациониот слој помеѓу изворот и одводот како портата G. Кога VGS = 0 V , има доста диоди со диоди наназад помеѓу одводот и изворот и напонот помеѓу D и S не формира струја помеѓу D и S. Струјата помеѓу D и S не се формира од применетиот напон .
Кога ќе се додаде напонот на портата, ако 0 < VGS < VGS(th), преку капацитивното електрично поле формирано помеѓу портата и подлогата, полионските дупки во полупроводникот од типот P во близина на дното на портата се одбиваат надолу, и се појавува тенок осиромашен слој на негативни јони; во исто време, ќе ги привлече олигоните во него да се преселат на површинскиот слој, но бројот е ограничен и недоволен за да формира проводен канал што ги комуницира одводот и изворот, така што сè уште е недоволен за формирање на ID на одводната струја. дополнително зголемување VGS, кога VGS > VGS (th) (VGS (th) се нарекува напон на вклучување), бидејќи во овој момент напонот на портата е релативно силен, во полупроводничкиот површински слој од типот P во близина на дното на портата под собирањето на повеќе електрони, можете да формирате ров, одвод и извор на комуникација. Ако во овој момент се додаде напонот на одводниот извор, струјата на одводот може да се формира ID. електрони во проводен канал формиран под портата, бидејќи на носител дупка со P-тип на полупроводнички поларитетот е спротивен, па затоа се нарекува анти-тип слој. Како што VGS продолжува да се зголемува, ID ќе продолжи да се зголемува. ID = 0 на VGS = 0V, а струјата на одвод се јавува само по VGS > VGS(th), така што, овој тип на MOSFET се нарекува MOSFET за подобрување.
Контролната врска на VGS на одводната струја може да се опише со кривата iD = f(VGS(th))|VDS=const, која се нарекува крива на карактеристична пренос, и големината на наклонот на преносната карактеристична крива, gm, ја рефлектира контролата на одводната струја од напонот на изворот на портата. големината на gm е mA/V, така што gm се нарекува и транспроводливост.
Време на објавување: август-04-2024 година
