I. Дефиниција на MOSFET
Како уреди со напон, со висока струја, МОСФЕТИ имаат голем број на апликации во кола, особено електроенергетските системи. Диодите на телото MOSFET, исто така познати како паразитски диоди, не се наоѓаат во литографијата на интегрираните кола, но се наоѓаат во посебни MOSFET уреди, кои обезбедуваат обратна заштита и продолжување на струјата кога се придвижувани од високи струи и кога се присутни индуктивни оптоварувања.
Поради присуството на оваа диода, уредот MOSFET не може едноставно да се види како се префрлува во коло, како во колото за полнење каде што полнењето е завршено, напојувањето се отстранува и батеријата се враќа нанадвор, што обично е несакан резултат.
Општото решение е да се додаде диода одзади за да се спречи обратно напојување, но карактеристиките на диодата ја одредуваат потребата за пад на напонот од 0,6 ~ 1V, што резултира со сериозно создавање топлина при високи струи додека предизвикува губење на енергија и намалување на вкупната енергетска ефикасност. Друг метод е да се додаде MOSFET еден до друг, користејќи го нискиот отпор на MOSFET за да се постигне енергетска ефикасност.
Треба да се забележи дека по спроводливоста, MOSFET-от е ненасочен, така што по спроводливост под притисок, е еквивалентен на со жица, само отпорен, без пад на напон во состојба, обично заситен на-отпор за неколку милиоми донавремени милиоми, и ненасочен, овозможувајќи минување на DC и AC напојувањето.
II. Карактеристики на MOSFET
1, MOSFET е уред контролиран од напон, не е потребна погонска фаза за возење на високи струи;
2, висок влезен отпор;
3, широк опсег на работна фреквенција, голема брзина на префрлување, мала загуба
4, AC удобно висока импеданса, низок шум.
5,Повеќекратна паралелна употреба, зголемување на излезната струја
Второ, употребата на MOSFET во процесот на мерки на претпазливост
1, со цел да се обезбеди безбедна употреба на MOSFET, во дизајнот на линијата, не треба да ја надминува дисипацијата на моќноста на цевководот, максималниот напон на изворот на истекување, напонот на изворот на портата и струјата и другите гранични вредности на параметрите.
2, различни типови на MOSFET во употреба, морабиде строго во во согласност со потребниот пристрасен пристап до колото, за да се усогласи со поларитетот на поместувањето на MOSFET.
3. При инсталирање на MOSFET, внимавајте на положбата за монтирање за да избегнете блиску до грејниот елемент. За да се спречат вибрациите на фитинзите, лушпата мора да се затегне; свиткувањето на игличките одводи треба да се изврши со големина поголема од коренот од 5mm за да се спречи свиткување и истекување на иглата.
4, поради екстремно високата влезна импеданса, MOSFET-овите мора да бидат скратени од иглата за време на транспортот и складирањето и спакувани со метална заштита за да се спречи надворешно индуцирано потенцијално распаѓање на портата.
5. Напонот на вратата на спојните MOSFET-ови не може да се врати назад и може да се складира во состојба на отворено коло, но влезната отпорност на MOSFET-овите со изолирана порта е многу висока кога тие не се во употреба, така што секоја електрода мора да биде краток спој. Кога лемете MOSFET-ови со изолирана порта, следете го редоследот на извор-одвод-портата и залемете со исклучено напојување.
За да се обезбеди безбедно користење на MOSFET, треба целосно да ги разберете карактеристиките на MOSFET и мерките на претпазливост што треба да се преземат при користењето на процесот, се надевам дека горенаведеното резиме ќе ви помогне.
Време на објавување: мај-15-2024 година
