Како функционираат MOSFET-овите?

1, МОСФЕТвовед

FieldEffect Transistor кратенка (FET)) наслов MOSFET. од страна на мал број носители да учествуваат во спроводливоста на топлина, исто така познат како повеќеполен транзистор. Припаѓа на полусуперпроводнички механизам за совладување на напон. Излезниот отпор е висок (10^8 ~ 10^9Ω), низок шум, мала потрошувачка на енергија, статички опсег, лесен за интегрирање, нема втор феномен на дефект, задачата за осигурување на морето и други предности, сега е променета биполарниот транзистор и транзисторот за спојување на моќноста на силните соработници.

 

2, MOSFET карактеристики

1, MOSFET е уред за контрола на напонот, преку VGS (портата извор напон) контрола ID (одвод DC);

2, MOSFET'sизлезниот DC пол е мал, така што излезниот отпор е голем.

3, тоа е примена на мал број на носители да се спроведе топлина, па тој има подобра мерка на стабилност;

4, се состои од намалување на патот на електрични намалување коефициент е помал од триода се состои од намалување на патот на намалување коефициент;

5, MOSFET способност против зрачење;

6, поради отсуство на погрешна активност на олигон дисперзија предизвикана од расфрлани честички на бучава, така што бучавата е ниска.

 

3, Принцип на задача MOSFET

MOSFET'sпринципот на работа во една реченица е „одвод - извор помеѓу ID што тече низ каналот за портата и каналот помеѓу pn спојот формиран од обратната пристрасност на главниот ID на напонот на портата“, поточно, ID тече низ ширината на патеката, односно површината на напречниот пресек на каналот, е промената во обратната пристрасност на pn-спојот, што произведува слој на исцрпување Причината за продолжената контрола на варијациите. Во незаситеното море од VGS=0, бидејќи проширувањето на преодниот слој не е многу големо, според додавањето на магнетното поле на VDS помеѓу одводниот извор, некои електрони во изворното море се повлекуваат од страна на одвод, т.е. постои DC ID активност од одводот до изворот. Умерениот слој зголемен од портата до одводот прави целото тело на каналот да формира блокирачки тип, ID полн. Наречете го овој формулар за стискање. Симболизирајќи го преодниот слој кон каналот на цела опструкција, наместо еднонасочна струја е исклучена.

 

Бидејќи нема слободно движење на електрони и дупки во преодниот слој, тој има речиси изолациони својства во идеална форма и тешко е да тече општата струја. Но, тогаш електричното поле помеѓу одводот - изворот, всушност, двата преоден слој контактираат мозоци и портата пол во близина на долниот дел, бидејќи лебдат електричното поле ги влече електроните со голема брзина низ преодниот слој. Интензитетот на полето за дрифт е речиси константен што ја создава полнотата на сцената со ИД.

 

Колото користи комбинација од подобрен P-канален MOSFET и подобрен N-канален MOSFET. Кога влезот е низок, P-каналниот MOSFET се спроведува и излезот се поврзува со позитивниот терминал на напојувањето. Кога влезот е висок, N-каналниот MOSFET се спроведува и излезот се поврзува со заземјувањето за напојување. Во ова коло, P-каналниот MOSFET и N-каналниот MOSFET секогаш работат во спротивни состојби, со нивните фазни влезови и излези обратни.