Изборот на мал напонски MOSFET е многу важен дел одМОСФЕТизборот не е добар може да влијае на ефикасноста и цената на целото коло, но исто така ќе им донесе многу проблеми на инженерите, како правилно да го изберат MOSFET?
Избор на N-канален или P-канал Првиот чекор во изборот на правилниот уред за дизајн е да се одлучи дали да се користи MOSFET со N-канален или P-канален Во типична апликација за напојување, MOSFET претставува страничен прекинувач со низок напон кога MOSFET-от е заземјен и товарот е поврзан со напонот на багажникот. Во страничниот прекинувач со низок напон, треба да се користи N-канален MOSFET поради разгледување на напонот потребен за исклучување или вклучување на уредот.
Кога MOSFET е поврзан со автобусот и товарот е заземјен, треба да се користи високонапонскиот страничен прекинувач. Во оваа топологија обично се користат P-канални MOSFET-ови, повторно за размислувања за напонскиот погон. Одреди го моменталниот рејтинг. Изберете го моменталниот рејтинг на MOSFET. Во зависност од структурата на колото, овој рејтинг на струја треба да биде максималната струја што оптоварувањето може да ја издржи под сите околности.
Слично на случајот со напонот, дизајнерот мора да обезбеди дека избраниотМОСФЕТможе да го издржи овој рејтинг на струја, дури и кога системот генерира врвни струи. Двата актуелни случаи што треба да се земат предвид се континуиран режим и скокови на пулсот. Во режим на континуирана спроводливост, MOSFET-от е во стабилна состојба, кога струјата постојано поминува низ уредот.
Пулсовите скокови се кога има големи бранови (или скокови на струја) што течат низ уредот. Откако ќе се одреди максималната струја под овие услови, едноставно се работи за директно избирање на уред кој може да ја издржи оваа максимална струја. Одредување на термички барања Изборот на MOSFET бара и пресметување на топлинските барања на системот. Дизајнерот мора да разгледа две различни сценарија, најлошиот и вистинскиот случај. Се препорачува да се користи пресметката во најлош случај бидејќи обезбедува поголема маргина на безбедност и гарантира дека системот нема да пропадне. Исто така, има некои мерења за кои треба да се знае на листот со податоци MOSFET; како што е термичкиот отпор помеѓу полупроводничкиот спој на уредот за пакување и околината и максималната температура на спојницата. При одлучувањето за перформансите на префрлување, последниот чекор во изборот на MOSFET е да се одлучи за перформансите на префрлување наМОСФЕТ.
Постојат многу параметри кои влијаат на перформансите на префрлувањето, но најважни се портата/одводот, портата/изворот и капацитивноста на одводот/изворот. Овие капацитети создаваат загуби при префрлување на уредот бидејќи тие треба да се полнат при секое префрлување. затоа се намалува брзината на префрлување на MOSFET и се намалува ефикасноста на уредот. За да се пресметаат вкупните загуби на уредот за време на вклучувањето, дизајнерот мора да ги пресмета загубите при вклучување (Eon) и загубите при исклучување.
Кога вредноста на vGS е мала, способноста за апсорпција на електрони не е силна, истекувањето - изворот помеѓу сè уште нема проводен канал, vGS се зголемува, се апсорбира во P супстратот надворешниот површински слој на електрони на зголемување, кога vGS достигне одредена вредност, овие електрони во портата во близина на изгледот на подлогата P сочинуваат тенок слој од N-тип, и со двете N + зона поврзани Кога vGS ќе достигне одредена вредност, овие електрони во портата во близина на изгледот на подлогата P ќе сочинуваат N-тип тенок слој, и поврзан со двете N + регион, во одвод - извор сочинуваат N-тип на проводен канал, неговиот спроводлив тип и спротивното на P подлогата, што го сочинува анти-тип слој. vGS е поголем, улогата на полупроводничкиот изглед на посилното електрично поле, апсорпцијата на електроните на надворешноста на P подлогата, колку повеќе проводниот канал е подебел, толку е помал отпорот на каналот. Односно, N-канален MOSFET во vGS < VT, не може да претставува проводен канал, цевката е во исклучена состојба. Се додека vGS ≥ VT, само кога каналот состав. Откако ќе се конституира каналот, се генерира одводна струја со додавање на напреден напон vDS помеѓу одводниот извор.
Но, Vgs продолжува да се зголемува, да речеме IRFPS40N60KVgs = 100V кога Vds = 0 и Vds = 400V, два услови, функцијата на цевката да донесе каков ефект, ако изгори, причината и внатрешниот механизам на процесот е како да се зголеми Vgs ќе се намали Rds (вклучено) ги намалуваат загубите при вклучување, но во исто време ќе го зголемат Qg, така што загубата при вклучување станува поголема, што влијае на ефикасноста на напонот на MOSFET GS со Vgg до Cgs полнење и зголемување, пристигна на напонот за одржување Vth , МОСФЕТ старт проводен; Зголемување на струјата на MOSFET DS, Милиерскиот капацитет во интервалот поради празнење на капацитетот и празнењето на DS, полнењето со капацитет на GS нема големо влијание; Qg = Cgs * Vgs, но полнењето ќе продолжи да се зголемува.
DS напонот на MOSFET паѓа на истиот напон како Vgs, Милиерската капацитивност значително се зголемува, надворешниот погонски напон престанува да ја полни Милиерската капацитивност, напонот на капацитивноста на GS останува непроменет, напонот на Милиеровиот капацитет се зголемува, додека на DS капацитетот продолжува да се намалува; DS напонот на MOSFET се намалува до напонот при заситена спроводливост, Милиерската капацитивност станува помала Напонот DS на MOSFET паѓа на напонот при спроводливост на заситеноста, Милиерската капацитивност станува помала и се полни заедно со GS капацитетот од надворешниот погон напон, а напонот на капацитетот на GS се зголемува; каналите за мерење на напон се домашните 3D01, 4D01 и сериите 3SK на Nissan.
Определување на Г-пол (портата): користете ја диодната опрема на мултиметарот. Ако една нога и другите две стапки помеѓу позитивниот и негативниот пад на напонот се поголеми од 2V, односно екранот „1“, оваа нога е портата G. И потоа заменете го пенкалото за да го измерите остатокот од двете стапки, падот на напонот е мал за тоа време, црното пенкало е поврзано со D-полот (одвод), црвеното пенкало е поврзано со S-полот (извор).
Време на објавување: Април-26-2024
