MOSFET-овите (Метал-оксид-полупроводнички транзистор со ефект на поле) често се сметаат за целосно контролирани уреди. Тоа е затоа што работната состојба (вклучено или исклучено) на MOSFET е целосно контролирана од напонот на портата (Vgs) и не зависи од основната струја како во случајот со биполарен транзистор (BJT).
Во MOSFET, напонот на портата Vgs одредува дали се формира спроводен канал помеѓу изворот и одводот, како и ширината и спроводливоста на проводниот канал. Кога Vgs ќе го надмине прагот напон Vt, се формира спроводниот канал и MOSFET влегува во вклучена состојба; кога Vgs паѓа под Vt, спроводниот канал исчезнува и MOSFET-от е во исклучена состојба. Оваа контрола е целосно контролирана бидејќи напонот на портата може самостојно и прецизно да ја контролира работната состојба на MOSFET без да се потпира на други струјни или напонски параметри.
Спротивно на тоа, на работната состојба на полу-контролираните уреди (на пример, тиристори) не влијае само контролниот напон или струја, туку и други фактори (на пр. напон на анодата, струја итн.). Како резултат на тоа, целосно контролираните уреди (на пример, MOSFET) обично нудат подобри перформанси во однос на точноста и флексибилноста на контролата.
Накратко, MOSFET се целосно контролирани уреди чија работна состојба е целосно контролирана од напонот на портата и имаат предности на висока прецизност, висока флексибилност и мала потрошувачка на енергија.
Време на објавување: 20-септември 2024 година
