Како еден од најосновните уреди во полето на полупроводниците, MOSFET е широко користен и во дизајнот на IC и во апликациите на колото на ниво на плоча. Значи, колку знаете за различните параметри на MOSFET? Како специјалист за среден и нисконапонски MOSFET,Олукидетално ќе ви ги објасни различните параметри на MOSFET!
VDSS максимален отпорен напон на одводниот извор
Напонот на одводниот извор кога течената одводна струја достигнува одредена вредност (нагло се зголемува) при специфична температура и краток спој од изворот на портата. Напонот на одводниот извор во овој случај се нарекува и пробивен напон од лавина. VDSS има позитивен температурен коефициент. На -50°C, VDSS е приближно 90% од онаа на 25°C. Поради додатокот вообичаено оставен во нормалното производство, лавинскиот дефектен напон наМОСФЕТе секогаш поголем од номиналниот номинален напон.
Топол потсетник на Olukey: Со цел да се обезбеди сигурност на производот, при најлоши работни услови, се препорачува работниот напон да не надминува 80~90% од номиналната вредност.
VGSS максимален отпорен напон на портата-извор
Се однесува на вредноста VGS кога обратната струја помеѓу портата и изворот почнува нагло да се зголемува. Надминувањето на оваа вредност на напонот ќе предизвика диелектрично распаѓање на оксидниот слој на портата, што е деструктивен и неповратен дефект.
ID максимална струја на одводниот извор
Тоа се однесува на максималната струја дозволена да помине помеѓу одводот и изворот кога транзисторот со ефект на поле работи нормално. Работната струја на MOSFET не треба да надминува ID. Овој параметар ќе се намали како што се зголемува температурата на спојницата.
IDM максимална пулсна одводна струја
Го одразува нивото на импулсна струја со која уредот може да се справи. Овој параметар ќе се намали како што се зголемува температурата на спојницата. Ако овој параметар е премногу мал, системот може да има ризик да се распадне според струјата за време на OCP тестирањето.
PD максимална дисипација на моќност
Тоа се однесува на максималната дисипација на енергија од изворот на одводот што е дозволено без да се влошат перформансите на транзисторот со ефект на поле. Кога се користи, вистинската потрошувачка на енергија на транзисторот со ефект на поле треба да биде помала од онаа на PDSM и да остави одредена маргина. Овој параметар генерално се намалува како што се зголемува температурата на спојницата.
TJ, TSTG работна температура и температурен опсег на околината за складирање
Овие два параметри го калибрираат температурниот опсег на раскрсницата дозволен од околината за работа и складирање на уредот. Овој температурен опсег е поставен да ги исполнува минималните барања за работниот век на уредот. Доколку се осигура дека уредот работи во овој температурен опсег, неговиот работен век значително ќе се продолжи.
Време на објавување: Декември-15-2023 година
