Погледнете ги MOSFET-овите

MOSFET-овите се изолациски MOSFET-ови во интегрираните кола. MOSFET-овите, како еден од најосновните уреди вополупроводникот поле, се широко користени во кола на ниво на плоча, како и во дизајнот на ИЦ. Одводот и изворот наМОСФЕТИ може да се заменуваат и се формираат во задна врата од P-тип со регион од N-тип. Општо земено, двата извора се заменливи, и двата формираат регион од N-тип воЗадна врата од типот P. Општо земено, овие две зони се исти, па дури и ако се префрлат овие два дела, перформансите на уредот нема да бидат засегнати. Затоа, уредот се смета за симетричен.

Принцип:

MOSFET користи VGS за да ја контролира количината на „индуцирано полнење“ за да ја промени состојбата на проводниот канал формиран од овие „индуцирани полнежи“ за да ја контролира струјата на одводот. Кога се произведуваат MOSFET, голем број позитивни јони се појавуваат во изолациониот слој преку посебни процеси, така што на другата страна на интерфејсот може да се забележат повеќе негативни полнежи, а N-регионот на нечистотиите со висока пропустливост е поврзан со овие негативни полнежи, и проводниот канал се формира, и релативно голема одводна струја, ID, се генерира дури и ако VGS е 0. Ако напонот на портата се промени, количината на индуцираното полнење во каналот исто така се менува, а ширината на проводниот канал се менува во иста мера. Ако напонот на портата се промени, количината на индуцираното полнење во каналот исто така ќе се промени, а ширината во проводниот канал исто така ќе се промени, така што ID на струјата на одводот ќе се промени заедно со напонот на портата.

Улога:

1. Може да се примени на колото на засилувачот. Поради високата влезна импеданса на засилувачот MOSFET, капацитетот на спојката може да биде помал и електролитски кондензатори не може да се користат.

Високата влезна импеданса е погодна за конверзија на импеданса. Често се користи за конверзија на импеданса во влезната фаза на повеќестепените засилувачи.

3, Може да се користи како променлив отпорник.

4, може да се користи како електронски прекинувач.

МОСФЕТ-овите сега се користат во широк опсег на апликации, вклучувајќи високофреквентни глави во телевизорите и прекинувачки напојувања. Во денешно време, биполарните обични транзистори и MOS се комбинираат заедно за да формираат IGBT (изолиран биполарен транзистор), кој е широко користен во области со висока моќност, а интегрираните кола MOS имаат карактеристика на мала потрошувачка на енергија, а сега процесорите се широко користени во MOS кола.