Разбирањето на оперативните принципи на MOSFET (Метал-оксид-полупроводнички транзистори со ефект на поле) е од клучно значење за ефикасно користење на овие високоефикасни електронски компоненти. MOSFET се незаменливи елементи во електронските уреди и нивното разбирање е од суштинско значење за производителите.
Во пракса, постојат производители кои можеби нема целосно да ги ценат специфичните функции на MOSFET за време на нивната примена. Сепак, со разбирање на принципите на работа на MOSFET во електронските уреди и нивните соодветни улоги, стратешки може да се избере најсоодветниот MOSFET, земајќи ги предвид неговите уникатни карактеристики и специфичните особини на производот. Овој метод ги подобрува перформансите на производот, ја зајакнува неговата конкурентност на пазарот.
WINSOK SOT-23-3 пакет MOSFET
Работни принципи на MOSFET
Кога напонот на портата-извор (VGS) на MOSFET е нула, дури и со примена на напон на одводниот извор (VDS), секогаш постои PN спој во обратна пристрасност, што резултира со никаков проводен канал (и без струја) помеѓу одводот и изворот на MOSFET. Во оваа состојба, струјата на одводот (ID) на MOSFET е нула. Со примена на позитивен напон помеѓу портата и изворот (VGS > 0) се создава електрично поле во изолациониот слој SiO2 помеѓу портата на MOSFET и силиконската подлога, насочено од портата кон силиконската подлога од типот P. Имајќи предвид дека оксидниот слој е изолациски, напонот што се применува на портата, VGS, не може да генерира струја во MOSFET. Наместо тоа, формира кондензатор низ оксидниот слој.
Како што VGS постепено се зголемува, кондензаторот се полни, создавајќи електрично поле. Привлечени од позитивниот напон на портата, бројни електрони се акумулираат на другата страна на кондензаторот, формирајќи проводен канал од типот N од одводот до изворот во MOSFET. Кога VGS го надминува прагот напонот VT (обично околу 2V), N-каналот на MOSFET спроведува, иницирајќи проток на ID на одводната струја. Напонот на портата-извор на кој каналот почнува да се формира се нарекува праг напон VT. Со контролирање на големината на VGS, а со тоа и на електричното поле, може да се модулира големината на ID на одводната струја во MOSFET.
WINSOK DFN5x6-8 пакет MOSFET
MOSFET апликации
MOSFET е познат по своите одлични карактеристики на префрлување, што доведува до неговата широка примена во кола кои бараат електронски прекинувачи, како што се напојувања во режим на прекинувач. Во нисконапонските апликации кои користат напојување од 5V, употребата на традиционални структури резултира со пад на напонот на базниот емитер на биполарниот споен транзистор (околу 0,7V), оставајќи само 4,3V за крајниот напон што се применува на портата на МОСФЕТОТ. Во такви сценарија, изборот за MOSFET со номинален напон на портата од 4,5V воведува одредени ризици. Овој предизвик се манифестира и во апликации кои вклучуваат 3V или други нисконапонски напојувања.
Време на објавување: Октомври-27-2023 година
