Кој е принципот на работа на MOSFET?

Наслов на MOSFET (FieldEffect Transistor кратенка (FET)).МОСФЕТ. од страна на мал број на носители да учествуваат во топлинска спроводливост, исто така познат како повеќеполен спој транзистор. Се категоризира како полусуперпроводнички уред контролиран од напон. Постоечката излезна отпорност е висока (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9 Ω), низок шум, мала потрошувачка на енергија, статички опсег, лесен за интегрирање, без втор феномен на дефект, задачата за осигурување на широкото море и други предности, сега го промени биполарен споен транзистор и моќен споен транзистор на силните соработници.

Карактеристики на MOSFET

Прво: MOSFET е уред за мастеринг на напон, тој преку VGS (напон на изворот на портата) до господар ID (одвод DC);

Второ:MOSFET'sизлезниот DC е многу мал, така што неговиот излезен отпор е многу голем.

Три: се нанесуваат неколку носачи за спроведување на топлина, а со тоа има подобра мерка на стабилност;

Четири: се состои од намалена патека на електрично намалување на мали коефициенти да биде помала од транзисторот се состои од намалена патека на електрично намалување на мали коефициенти;

Петто: MOSFET моќ против зрачење;

Шест: затоа што нема погрешна активност на малцинската дисперзија предизвикана од расфрлани честички на бучава, бидејќи бучавата е мала.

Принцип на задача MOSFET

МОСФЕТпринципот на задачата во една реченица, што е, "одвод - извор прошетка низ каналот помеѓу ID, со електродата и каналот помеѓу pn конструирани во напон на електрода со обратна пристрасност за да го совладате ID". Попрецизно, амплитудата на проект низ колото, што е, каналот пресек област, тоа е од страна на PN раскрсницата контра-пристрасни варијација, појавата на осиромашување слој за да се прошири варијација на мајсторство на причината. Во незаситеното море од VGS=0, проширувањето на посочениот преоден слој не е многу големо бидејќи, според магнетното поле на VDS додадено помеѓу одводниот извор, некои електрони во изворното море се повлекуваат од одводот. т.е. постои активност на DC ID од одводот до изворот. Умерениот слој што се шири од портата до одводот ќе формира тип на блокирање на целото тело на каналот, полн со ID. Видете ја оваа шема како штипкање. Ова симболизира дека преодниот слој попречува цела канал, а не е дека DC е отсечен.

Во преодниот слој, бидејќи нема само-движење на електрони и дупки, во реалната форма на изолационите карактеристики на постоењето на општата DC струја тешко се движи. Меѓутоа, магнетното поле помеѓу одводот - извор, во пракса, двата преодни слоја контактираат мозоци и портата пол долниот лев, бидејќи лебдат магнетното поле ги влече електроните со голема брзина низ преодниот слој. Бидејќи јачината на магнетното поле на дрифт едноставно не ја менува полнотата на сцената за ИД. Второ, VGS до негативна позиција се менува, така што VGS = VGS (исклучено), тогаш преодниот слој во голема мера го менува обликот на покривање на целото море. И магнетното поле на VDS во голема мера се додава на преодниот слој, магнетното поле кое го влече електронот до положбата на дрифт, сè додека е блиску до изворниот пол на многу краткото сè, што е повеќе така што DC моќноста не е способен да стагнира.