Начин на производство на погонско коло MOSFET со голема моќност

Постојат две главни решенија:

Една од нив е да се користи наменски чип за двигател за возење на MOSFET, или употребата на брзи фотоспојувачи, транзисторите претставуваат коло за движење на MOSFET, но првиот тип на пристап бара обезбедување независно напојување; другиот тип на импулсен трансформатор за возење на MOSFET, а во колото на пулсен погон, како да се подобри фреквенцијата на префрлување на погонското коло за да се зголеми капацитетот на возење, колку што е можно, да се намали бројот на компоненти, е итна потреба да се решитековни проблеми.

Првиот тип на погонска шема, полу-мост бара две независни напојувања; полн мост бара три независни напојувања, и полу-мост и целосен мост, премногу компоненти, кои не се погодни за намалување на трошоците.

Вториот тип на програма за возење, а патентот е најблиската претходна уметност за името на пронајдокот „висока моќностМОСФЕТ погонско коло" патент (број на апликација 200720309534. 8), патентот само додава отпор на празнење за ослободување на изворот на портата на полнење на MOSFET со висока моќност, за да се постигне целта на исклучување, паѓачкиот раб на сигналот PWM е голем. паѓачкиот раб на сигналот PWM е голем, што ќе доведе до бавно исклучување на MOSFET, загубата на енергија е многу голема;

Покрај тоа, патентната програма MOSFET работа е подложна на пречки, а контролниот чип PWM треба да има голема излезна моќност, со што температурата на чипот е висока, што влијае на работниот век на чипот. Содржина на пронајдокот Целта на овој корисен модел е да обезбеди MOSFET погонско коло со голема моќност, да работи постабилно и нула за да ја постигне целта на овој техничко решение за пронајдокот на корисен модел - коло за погон со голема моќност MOSFET, излезот на сигналот од контролниот чип PWM е поврзан со примарниот импулсен трансформатор, на прв излез oако секундарниот импулсен трансформатор е поврзан со првата MOSFET порта, вториот излез од секундарниот импулсен трансформатор е поврзан со првата MOSFET порта, вториот излез од секундарниот импулсен трансформатор е поврзан со првата MOSFET порта. Првиот излез на секундарниот импулсен трансформатор е поврзан со портата на првиот МОСФЕТ, вториот излез на секундарниот пулсен трансформатор е поврзан со портата на вториот МОСФЕТ, што се карактеризира со тоа што е поврзан и првиот излез од секундарниот пулсен трансформатор на првиот транзистор за празнење, а вториот излез на секундарниот импулсен трансформатор е исто така поврзан со вториот транзистор за празнење. Примарната страна на импулсниот трансформатор е исто така поврзана со коло за складирање и ослободување енергија.

Колото за ослободување за складирање енергија вклучува отпорник, кондензатор и диода, отпорникот и кондензаторот се поврзани паралелно, а гореспоменатото паралелно коло е поврзано во серија со диодата. Корисниот модел има корисен ефект Корисниот модел има и прв транзистор за празнење поврзан на првиот излез на секундарниот трансформатор и втор транзистор за празнење поврзан на вториот излез на импулсниот трансформатор, така што кога пулсниот трансформатор излегува ниска ниво, првиот MOSFET и вториот MOSFET може брзо да се испразнат за да се подобри брзината на исклучување на MOSFET и да се намали загубата на MOSFET. Сигналот на контролниот чип PWM е поврзан со MOSFET за засилување на сигналот помеѓу примарниот излез и примарниот пулсен трансформатор, кој може да се користи за засилување на сигналот. Излезот на сигналот на контролниот чип PWM и примарниот импулсен трансформатор се поврзани со MOSFET за засилување на сигналот, што може дополнително да ја подобри способноста за возење на PWM сигналот.

Примарниот импулсен трансформатор е исто така поврзан со коло за ослободување за складирање енергија, кога PWM сигналот е на ниско ниво, колото за ослободување за складирање енергија ја ослободува складираната енергија во пулсниот трансформатор кога PWM е на високо ниво, осигурувајќи дека портата изворот на првиот MOSFET и вториот MOSFET е исклучително низок, што игра улога во спречувањето на пречки.

Во специфична имплементација, MOSFET Q1 со мала моќност за засилување на сигналот е поврзан помеѓу излезниот сигнал А терминал на контролниот чип PWM и примарниот на пулсниот трансформатор Tl, првиот излезен терминал на секундарниот на пулсниот трансформатор е поврзан со портата на првиот MOSFET Q4 преку диодата D1 и погонскиот отпорник Rl, приклучен е вториот излезен терминал на секундарниот дел на импулсниот трансформатор до вратата на вториот MOSFET Q5 преку диодата D2 и погонскиот отпорник R2, а првиот излезен терминал на секундарниот на пулсниот трансформатор е исто така поврзан со првиот одводен триод Q2, а вториот одводен триод Q3 е исто така поврзан со втората одводна триода Q3. MOSFET Q5, првиот излезен терминал на секундарниот импулсен трансформатор е исто така поврзан со првиот одводен транзистор Q2, а вториот излезен терминал на секундарниот импулсен трансформатор е исто така поврзан со вториот одводен транзистор Q3.

Вратата на првиот MOSFET Q4 е поврзана со одводен отпорник R3, а портата на вториот MOSFET Q5 е поврзан со одводен отпорник R4. примарниот дел од пулсниот трансформатор Tl е исто така поврзан со колото за складирање и ослободување енергија, а колото за складирање и ослободување енергија вклучува отпорник R5, кондензатор Cl и диода D3, а отпорникот R5 и кондензаторот Cl се поврзани во паралелно, а гореспоменатото паралелно коло е поврзано во серија со диодата D3. излезниот сигнал на PWM од контролниот чип PWM е поврзан со MOSFET Q2 со мала моќност, а MOSFET Q2 со мала моќност е поврзан со секундарниот дел на импулсниот трансформатор. се засилува со нискомоќниот MOSFET Ql и излегува до примарниот на импулсниот трансформатор Tl. Кога PWM сигналот е висок, првиот излезен терминал и вториот излезен терминал на секундарниот пулсен трансформатор Tl излегуваат сигнали на високо ниво за да го придвижат првиот MOSFET Q4 и вториот MOSFET Q5 да спроведат.

Кога PWM сигналот е низок, првиот излез и вториот излез на секундарниот излез на импулсниот трансформатор Tl сигнали со ниско ниво, првиот одводен транзистор Q2 и вториот одводен транзистор Q3 спроводливост, првиот капацитивност на изворот на портата MOSFETQ4 преку одводниот отпорник R3, првиот одводен транзистор Q2 за празнење, вториот MOSFETQ5 капацитивност на изворот на портата преку одводниот отпорник R4, вториот одводен транзистор Q3 за празнење, вториот капацитивност на изворот на портата MOSFETQ5 преку одводниот отпорник R4, вториот одводен транзистор Q3 за празнење, вториот капацитивност на изворот на портата MOSFETQ5 преку одводниот отпорник R4, вториот дранаст Q3 за празнење. Втората капацитивност на изворот на вратата MOSFETQ5 се испушта преку одводниот отпорник R4 и вториот одводен транзистор Q3, така што првиот MOSFET Q4 и вториот MOSFET Q5 може да се исклучат побрзо и да се намали загубата на енергија.

Кога PWM сигналот е низок, колото за ослободување на складирана енергија составено од отпорник R5, кондензатор Cl и диода D3 ја ослободува складираната енергија во пулсниот трансформатор кога PWM е висока, обезбедувајќи дека изворот на портата на првиот MOSFET Q4 и вториот MOSFET Q5 е екстремно низок, што служи за целта на анти-мешање. Диодата Dl и диодата D2 ја спроведуваат излезната струја еднонасочно, со што се обезбедува квалитетот на брановата форма на PWM, а во исто време, до одреден степен игра и улога на анти-пречки.