Која е разликата помеѓу MOSFET и IGBT? Олуки ќе одговори на вашите прашања!

Како преклопни елементи, MOSFET и IGBT често се појавуваат во електронските кола. Тие се исто така слични по изглед и карактеристични параметри. Верувам дека многу луѓе ќе се запрашаат зошто некои кола треба да користат MOSFET, додека други користат. IGBT?

Која е разликата меѓу нив? Следно,Олукиќе одговори на вашите прашања!

Што е аМОСФЕТ?

MOSFET, целосното кинеско име е транзистор со ефект на поле со полупроводнички метал-оксид. Бидејќи портата на овој транзистор со ефект на поле е изолирана со изолационен слој, тој се нарекува и транзистор со ефект на поле со изолирана порта. MOSFET може да се подели на два вида: „N-тип“ и „P-тип“ според поларитетот на неговиот „канал“ (работен носач), обично исто така наречен N MOSFET и P MOSFET.

Самиот MOSFET има своја паразитска диода, која се користи за да се спречи MOSFET да изгори кога VDD е прекумерен напон. Бидејќи пред пренапонот да предизвика оштетување на MOSFET, диодата прво се распаѓа обратно и ја насочува големата струја на земја, со што се спречува изгорување на MOSFET.

Дијаграм на принципот на работа на MOSFET

Што е ИГБТ?

IGBT (Изолациран биполарен транзистор) е сложен полупроводнички уред составен од транзистор и МОСФЕТ.

Симболите на колото на IGBT сè уште не се унифицирани. При цртање на шематски дијаграм, генерално се позајмуваат симболите на триод и MOSFET. Во овој момент, можете да процените дали е IGBT или MOSFET од моделот означен на шематскиот дијаграм.

Во исто време, треба да обрнете внимание и на тоа дали IGBT има диода на телото. Ако не е означено на сликата, не значи дека не постои. Освен ако официјалните податоци конкретно не велат поинаку, оваа диода е присутна. Телесната диода во внатрешноста на IGBT не е паразитска, туку е специјално поставена за да го заштити кревкиот напон на IGBT. Се нарекува и FWD (диода со слободно тркала).

Внатрешната структура на двете е различна

Трите пола на MOSFET се извор (S), одвод (D) и капија (G).

Трите пола на IGBT се колектор (C), емитер (E) и порта (G).

IGBT се конструира со додавање дополнителен слој на одводот на MOSFET. Нивната внатрешна структура е како што следува:

Полињата за апликација на двете се различни

Внатрешните структури на MOSFET и IGBT се различни, што ги одредува нивните полиња за примена.

Поради структурата на MOSFET, тој обично може да постигне голема струја, која може да достигне KA, но предусловната способност да издржи напон не е толку силна како IGBT. Нејзини главни области на примена се прекинувачки напојувања, придушници, високофреквентно индукционо греење, високофреквентни машини за заварување со инвертер, комуникациски напојувања и други полиња за напојување со висока фреквенција.

IGBT може да произведе многу енергија, струја и напон, но фреквенцијата не е премногу висока. Во моментов, брзината на тешко префрлување на IGBT може да достигне 100KHZ. IGBT е широко користен во машини за заварување, инвертери, фреквентни конвертори, електролитски напојувања со галванизација, ултразвучно индукционо греење и други полиња.

Главни карактеристики на MOSFET и IGBT

MOSFET има карактеристики на висока влезна импеданса, брза брзина на префрлување, добра термичка стабилност, струја за контрола на напонот итн. Во колото може да се користи како засилувач, електронски прекинувач и други намени.

Како нов тип на електронски полупроводнички уред, IGBT има карактеристики на висока влезна импеданса, потрошувачка на енергија за контрола на низок напон, едноставно контролно коло, отпорност на висок напон и голема толеранција на струја и е широко користен во различни електронски кола.

Идеалното еквивалентно коло на IGBT е прикажано на сликата подолу. IGBT е всушност комбинација од MOSFET и транзистор. МОСФЕТ има недостаток на висока отпорност, но IGBT го надминува овој недостаток. IGBT сè уште има низок отпор при висок напон. .

Генерално, предноста на MOSFET е тоа што има добри високофреквентни карактеристики и може да работи на фреквенција од стотици kHz и до MHz. Недостаток е што отпорот за вклучување е голем и потрошувачката на енергија е голема во ситуации со висок напон и висока струја. IGBT работи добро во ситуации со ниска фреквенција и висока моќност, со мал отпор на вклучување и висок издржлив напон.

Изберете MOSFET или IGBT

Во колото, дали да се избере MOSFET како цевка за прекинувач за напојување или IGBT е прашање со кое често се среќаваат инженерите. Ако се земат предвид факторите како што се напонот, струјата и моќта на префрлување на системот, може да се сумираат следниве точки:

Луѓето често прашуваат: „Дали е подобар MOSFET или IGBT? Всушност, не постои добра или лоша разлика помеѓу двете. Најважно е да се види неговата вистинска примена.

Ако сè уште имате прашања за разликата помеѓу MOSFET и IGBT, можете да го контактирате Olukey за детали.

Olukey главно дистрибуира производи на WINSOK со среден и низок напон MOSFET. Производите се широко користени во воената индустрија, LED/LCD табли за драјвери, табли за возачи на мотори, брзо полнење, електронски цигари, LCD монитори, напојувања, мали апарати за домаќинство, медицински производи и Bluetooth производи. Електронска вага, електроника на возила, мрежни производи, апарати за домаќинство, компјутерски периферни уреди и разни дигитални производи.