Зошто е секогаш тешко да се тестира употребата и замената на MOSFET со голема моќност со мултиметар?

За MOSFET со голема моќност беше еден од инженерите кои сакаат да разговараат на темата, така што го организиравме вообичаеното и невообичаеното знаење заМОСФЕТ, се надевам дека ќе им помогнам на инженерите. Ајде да зборуваме за MOSFET, многу важна компонента!

Антистатичка заштита

МОСФЕТ со висока моќност е изолирана цевка со ефект на поле на портата, портата нема коло со директна струја, влезната импеданса е исклучително висока, многу е лесно да се предизвика статичка агрегација на полнеж, што резултира со висок напон ќе биде портата и изворот на изолациониот слој помеѓу дефектот.

Повеќето од раното производство на MOSFET немаат антистатички мерки, затоа бидете многу внимателни при чување и примена, особено MOSFET со помала моќност, поради помалата моќност MOSFET влезниот капацитет е релативно мал, кога е изложен на статички електрицитет генерира повисок напон, лесно предизвикан од електростатско дефект.

Неодамнешното подобрување на MOSFET со висока моќност е релативно голема разлика, пред сè, поради функцијата на поголем влезен капацитет е исто така поголем, така што контактот со статички електрицитет има процес на полнење, што резултира со помал напон, предизвикувајќи дефект за можноста за помали, а потоа повторно, сега MOSFET со голема моќност во внатрешната порта и изворот на портата и изворот на заштитен регулатор DZ, статички вградени во заштитата на регулаторот диода напон регулатор вредност Подолу, ефикасно заштита на портата и изворот на изолационен слој, различна моќност, различни модели на MOSFET заштита регулатор диода напон регулатор вредност е различна.

Иако интерните мерки за заштита на MOSFET со висока моќност, треба да работиме во согласност со антистатичките оперативни процедури, што треба да ги има квалификуван персонал за одржување.

Откривање и замена

При поправка на телевизори и електрична опрема, ќе наидете на различни оштетувања на компонентите,МОСФЕТе исто така меѓу нив, што е начинот на кој нашиот персонал за одржување го користи најчесто користениот мултиметар за одредување на добриот и лошиот, добриот и лошиот MOSFET. Во замена на MOSFET ако нема ист производител и ист модел, како да се замени проблемот.

1, тест за МОСФЕТ со висока моќност:

Како генерален персонал за поправка на електрична ТВ при мерење на кристални транзистори или диоди, обично се користи обичен мултиметар за да се одредат добрите и лошите транзистори или диоди, иако проценката на електричните параметри на транзисторот или диодата не може да се потврди, но се додека методот е точен за потврда на кристални транзистори „добри“ и „лоши“ или „лоши“ за потврда на кристални транзистори. „Лошо“ или без проблем. Слично на тоа, MOSFET исто така може да биде

Да се ​​примени мултиметарот за да се одреди неговото „добро“ и „лошо“, од општото одржување, исто така може да ги задоволи потребите.

За откривање мора да се користи мултиметар од типот на покажувач (дигиталниот метар не е погоден за мерење на полупроводнички уреди). За преклопната цевка од типот на моќност MOSFET се подобрувања со N-канал, производите на производителите речиси сите ја користат истата форма на пакет TO-220F (се однесува на прекинувачкото напојување за моќност од 50-200 W на преклопната цевка со ефект на поле) , аранжманот на три електроди е исто така конзистентен, односно трите

Пиновите надолу, моделот за печатење свртен кон себе, левата игла за портата, десната тест игла за изворот, средната игла за одводот.

(1) мултиметар и сродни препарати:

Пред сè, пред мерењето треба да може да се користи мултиметарот, особено примената на опрема за ом, за да се разбере блокот Ом ќе биде правилна примена на ом блок за мерење на кристалниот транзистор иМОСФЕТ.

Со мултиметарскиот блок ом, ом централната скала не може да биде премногу голема, по можност помала од 12 Ω (табела од тип 500 за 12 Ω), така што во блокот R × 1 може да има поголема струја, за PN спој на напред карактеристики на пресудата е попрецизна. Мултиметар R × 10K блок внатрешна батерија е најдобро поголема од 9V, така што при мерењето на PN-раскрсницата инверзната струја на истекување е попрецизна, инаку истекувањето не може да се измери.

Сега поради напредокот на производствениот процес, фабричкиот скрининг, тестирањето е многу строго, ние генерално судиме сè додека пресудата на MOSFET не истекува, не го пробива краток спој, внатрешното не-коло може да биде засилен на патот, методот е исклучително едноставен:

Користење на мултиметарски блок R × 10K; Внатрешната батерија R × 10K блок е генерално 9V плус 1,5V до 10,5V, овој напон генерално се оценува како доволно истекување на инверзија на PN спој, црвеното пенкало на мултиметарот е негативен потенцијал (поврзан со негативниот терминал на внатрешната батерија), црното пенкало на мултиметарот е позитивен потенцијал (поврзан со позитивниот терминал на внатрешната батерија).

(2) Процедура за тестирање:

Поврзете го црвеното пенкало со изворот на MOSFET S; поврзете го црното пенкало со одводот на MOSFET D. Во овој момент, ознаката за иглата треба да биде бесконечна. Ако има омски индекс, што покажува дека цевката што се тестира има феномен на истекување, оваа цевка не може да се користи.

Одржувајте ја горната состојба; во ова време со отпорник од 100K ~ 200K поврзан со портата и одводот; во тоа време иглата треба да го означи бројот на оми колку е помал, толку подобро, генерално може да се означи на 0 оми, овој пат тоа е позитивно полнење преку отпорникот 100K на полнењето на портата MOSFET, што резултира со електрично поле на портата, поради електричното поле генерирано од проводниот канал што резултира со спроводливост на одводот и изворот, така што отклонувањето на иглата на мултиметарот, аголот на отклонување е голем (Омовиот индекс е мал) за да се докаже дека перформансите на празнење се добри.

И потоа поврзан со отпорник отстранети, тогаш покажувачот на мултиметар се уште треба да биде MOSFET на индексот останува непроменет. Иако отпорник да се одземе, но бидејќи отпорник на портата обвинет од страна на полнење не исчезнува, портата електричното поле продолжува да се одржува внатрешниот проводен канал се уште се одржува, што е карактеристики на изолирани портата тип MOSFET.

Ако отпорник да ја одземе иглата полека и постепено ќе се врати на висок отпор или дури и се врати до бесконечност, да се земе предвид дека измерената цевка портата истекување.

Во тоа време со жица, поврзана со портата и изворот на цевката што се тестира, покажувачот на мултиметарот веднаш се врати во бесконечност. Поврзувањето на жицата така што измерениот MOSFET, ослободување на портата, внатрешното електрично поле исчезнува; проводен канал, исто така, исчезнува, па одводот и изворот помеѓу отпорот и стануваат бесконечни.

2, замена на MOSFET со висока моќност

При поправка на телевизори и сите видови електрична опрема, наиде на оштетување на компонентите треба да се заменат со ист тип на компоненти. Сепак, понекогаш истите компоненти не се при рака, неопходно е да се користат други видови замена, така што мора да ги земеме предвид сите аспекти на перформансите, параметрите, димензиите итн., како што е телевизорот внатре во излезната цевка, како што е додека разгледувањето на напонот, струјата, моќта генерално може да се замени (линија излезна цевка речиси со исти димензии на изгледот), а моќта има тенденција да биде поголема и подобра.

За замена на MOSFET, иако и овој принцип, најдобро е да се прототипираат најдобрите, особено, не стремете се моќта да биде поголема, бидејќи моќта е голема; Влезната капацитивност е голема, променета и побудните кола не се совпаѓаат со возбудувањето на ограничувачкиот отпорник на струјата на полнење на колото за наводнување со големина на вредноста на отпорот и влезната капацитивност на MOSFET е поврзана со изборот на моќноста на големите и покрај голем капацитет, но влезниот капацитет е исто така голем, а влезниот капацитет е исто така голем, а моќта не е голема.

Влезната капацитивност е исто така голема, колото за возбудување не е добро, што пак ќе ги влоши перформансите за вклучување и исклучување на MOSFET. Прикажува замена на различни модели на MOSFET, земајќи ја предвид влезната капацитивност на овој параметар.

На пример, има оштетување на високонапонската плоча на 42-инчен LCD телевизор позадинско осветлување, по проверка на внатрешната штета на MOSFET со висока моќност, бидејќи нема прототип број на замена, изборот на напон, струја, моќност не е помал од оригиналната замена на MOSFET, резултатот е дека цевката за позадинско осветлување се чини дека е континуирано треперење (тешкотии при стартување), и конечно се заменува со истиот тип на оригиналот за да се реши проблемот.

Откриено оштетување на MOSFET со голема моќност, замена на неговите периферни компоненти на колото за перфузија, исто така, мора да се замени, бидејќи оштетувањето на MOSFET може да бидат и слаби компоненти на колото за перфузија предизвикани од оштетувањето на MOSFET. Дури и ако самиот MOSFET е оштетен, во моментот кога MOSFET ќе се расипе, компонентите на колото за перфузија исто така се оштетени и треба да се заменат.

Исто како што имаме многу паметен мајстор за поправка во поправката на преклопното напојување А3; се додека се открие дека прекинувачката цевка се распаѓа, таа е исто така предната страна на цевката за возбудување 2SC3807 заедно со замена од истата причина (иако цевката 2SC3807, измерена со мултиметар е добра).